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英文名:
MOS试剂
用途: 一类生产金属氧化物半导体电路专用的化学品,是一种高纯试剂。主要用于大规模、超大规模集成电路的研究和生产。
备注: 其纯度要求单项金属离子杂质含量均在1E-7%~1E-9%范围内。而更重要的是控制产品内微粒杂质(即尘埃和不溶颗粒)的个数,应当符合美国材料试验学会(ASTM)“0”级标准,即对5-10微米大小的颗粒。每100毫升中最大允许在2700个以下,而对5微米大小的颗粒,要求在304个以下。
关键字:mos 试剂
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